目录

第1章辉光放电质谱基本原理1
1.1引言1
1.2辉光放电离子源1
1.2.1辉光放电2
1.2.2直流辉光放电离子源2
1.2.3射频辉光放电离子源5
1.3离子化9
1.4离子的分离与检测10
1.4.1离子的分离10
1.4.2离子的检测13
1.5分析与应用13
1.5.1定性分析13
1.5.2定量分析14
1.5.2.1单元素基体样品的定量分析14
1.5.2.2多元素基体样品的定量分析19
1.5.2.3使用校正曲线的定量分析21
1.5.3深度剖析和二维成像23
1.6质量分辨率和丰度灵敏度24
1.6.1质量分辨率24
1.6.2丰度灵敏度26
1.7检测限和灵敏度26
1.7.1检测限26
1.7.2灵敏度27
1.8放电气体27
1.9信号增强30
1.9.1脉冲辉光放电离子源30
1.9.2磁场增强30
1.9.3微波增强31
1.10冷阱32
1.11数学模拟33
参考文献33

第2章辉光放电质谱仪器38
2.1引言38
2.2离子源39
2.2.1直流源41
2.2.2射频源42
2.2.3脉冲源43
2.3质量分析器43
2.4检测器45
2.5辅助系统45
2.5.1真空系统45
2.5.2高电压单元46
2.5.3烘烤系统46
2.5.4离子源控制单元47
参考文献47

第3章辉光放电质谱分析与特点48
3.1引言48
3.2辉光放电质谱仪器放电条件的优化48
3.2.1放电电压与电流49
3.2.2射频功率49
3.2.3放电气体压力52
3.2.4预溅射时间53
3.2.5样品厚度53
3.3辉光放电质谱仪器分析参数的设定54
3.3.1磁场与质量校正54
3.3.2分辨率的优化与选择55
3.3.3积分时间设定56
3.4重现性56
3.4.1辉光质谱分析内部重现性56
3.4.2辉光质谱分析外部重现性56
3.5GDMS分析特点56
3.6质谱干扰与消除63
3.6.1提高放电气体纯度64
3.6.2更换放电气体64
3.6.3采用冷阱65
3.6.4选用合适的同位素65
3.6.5提高质量分辨率65
3.6.6运用碰撞诱导解离66
参考文献66

第4章辉光放电质谱分析的样品制备方法69
4.1引言69
4.2金属及半导体材料制样方法71
4.3非导体材料制样方法73
4.3.1混合法74
4.3.1.1机械滚压法74
4.3.1.2压片法75
4.3.1.3压力渗透法78
4.3.2第二阴极法80
4.3.3嫁接法82
4.3.4表面涂覆金属膜法83
4.3.5钽槽法85
4.3.6射频辉光放电质谱的样品处理方法87
参考文献87

第5章辉光放电质谱深度剖析90
5.1引言90
5.2基本原理92
5.3depthprofile定量研究93
5.4深度分辨率95
5.5溅射坑形貌96
5.5.1放电功率对溅射坑形貌的影响96
5.5.2放电气压对溅射坑形貌的影响99
5.5.3其他实验参数对溅射坑形貌的影响101
5.6GDMS深度剖析的应用101
5.6.1金属表面或涂层深度剖析应用101
5.6.2非导体材料表面或涂层深度剖析应用103
5.6.3半导体表面或涂层深度剖析应用104
参考文献107